BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Ch 80V 100A

Descrición curta:

Fabricantes: Infineon Technologies

Categoría de produto: transistores – FET, MOSFET – único

Folla de datos: BSC030N08NS5ATMA1

Descrición:MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Estado RoHS: RoHS Compliant


Detalle do produto

características

Etiquetas de produtos

♠ Descrición do produto

Atributo do produto Valor do atributo
Fabricante: Infineon
Categoría do produto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnoloxía: Si
Estilo de montaxe: SMD/SMT
Paquete/Estuche: TDSON-8
Polaridade do transistor: Canle N
Número de canles: 1 canle
Vds - Tensión de avaría drenaxe-fonte: 80 V
Id - Corrente de drenaxe continua: 100 A
Rds On - Resistencia de drenaxe-fonte: 4,5 mOhmios
Vgs - Tensión da fonte-porta: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión límite da fonte-porta: 2,2 V
Qg - Carga de porta: 61 nC
Temperatura mínima de funcionamento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamento: + 150 C
Pd - Disipación de potencia: 139 W
Modo de canle: Mellora
Nome comercial: OptiMOS
Embalaxe: Bobina
Embalaxe: Cinta cortada
Embalaxe: MouseReel
Marca: Tecnoloxías Infineon
Configuración: Solteiro
Tempo de outono: 13 ns
Transcondutividade directa - mín.: 55 S
Altura: 1,27 mm
Lonxitude: 5,9 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 12 ns
Serie: OptiMOS 5
Cantidade do paquete de fábrica: 5000
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canle N
Tempo de atraso típico de apagado: 43 ns
Tempo de atraso de aceso típico: 20 ns
Ancho: 5,15 mm
Parte # Aliases: BSC030N08NS5 SP001077098
Peso unitario: 0,017870 oz

 


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • •Optimizado para SMPS de alto rendemento,egsync.rec.

    •100% probado por avalanchas

    •Superior resistencia térmica

    •Canle N

    •Calificado segundo JEDEC1) para aplicacións de destino

    • Revestimento de chumbo libre de Pb; compatible con RoHS

    •Libre de halóxenos segundo IEC61249-2-21

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