BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Ch 80V 100A
♠ Descrición do produto
Atributo do produto | Valor do atributo |
Fabricante: | Infineon |
Categoría do produto: | MOSFET |
Directiva RoHS: | Detalles |
Tecnoloxía: | Si |
Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
Paquete/Caixa: | TDSON-8 |
Polaridade do transistor: | Canle N |
Número de canles: | 1 canle |
Vds - Tensión de ruptura dreno-fonte: | 80 V |
Id - Corrente de drenaxe continua: | 100 A |
Rds Activado - Resistencia da Fonte-Dreno: | 4,5 mOhmios |
Vgs - Tensión porta-fonte: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensión limiar da fonte da porta: | 2,2 V |
Qg - Carga da porta: | 61 nC |
Temperatura mínima de funcionamento: | - 55 °C |
Temperatura máxima de funcionamento: | + 150 °C |
Pd - Disipación de potencia: | 139 O |
Modo de canle: | Mellora |
Nome comercial: | OptiMOS |
Embalaxe: | Carrete |
Embalaxe: | Cortar cinta |
Embalaxe: | Carrete de rato |
Marca: | Infineon Technologies |
Configuración: | Solteiro/a |
Tempo de outono: | 13 ns |
Transcondutancia directa - Mín: | 55 S |
Altura: | 1,27 milímetros |
Lonxitude: | 5,9 milímetros |
Tipo de produto: | MOSFET |
Tempo de subida: | 12 ns |
Serie: | OptiMOS 5 |
Cantidade do paquete de fábrica: | 5000 |
Subcategoría: | MOSFETs |
Tipo de transistor: | 1 canle N |
Tempo de retardo de apagado típico: | 43 ns |
Tempo de retardo de activación típico: | 20 ns |
Largura: | 5,15 milímetros |
Alias de número de peza: | BSC030N08NS5 SP001077098 |
Peso unitario: | 0,017870 onzas |
• Optimizado para SMPS de alto rendemento, por exemplo, sync.rec.
• 100 % probado contra avalanchas
• Resistencia térmica superior
•Canle N
• Cualificado segundo JEDEC1) para aplicacións específicas
• Chapado de chumbo sen chumbo; cumpre coa normativa RoHS
• Libre de halóxenos segundo a norma IEC61249-2-21