MOSFET CSD88537ND MOSFET de potencia de dobre canle N de 60 V
♠ Descrición do produto
Atributo do produto | Valor do atributo |
Fabricante: | Texas Instruments |
Categoría do produto: | MOSFET |
Directiva RoHS: | Detalles |
Tecnoloxía: | Si |
Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
Paquete/Caixa: | SOIC-8 |
Polaridade do transistor: | Canle N |
Número de canles: | 2 canles |
Vds - Tensión de ruptura dreno-fonte: | 60 V |
Id - Corrente de drenaxe continua: | 16 A |
Rds Activado - Resistencia da Fonte-Dreno: | 15 mOhmios |
Vgs - Tensión porta-fonte: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensión limiar da fonte da porta: | 2,6 V |
Qg - Carga da porta: | 14 nC |
Temperatura mínima de funcionamento: | - 55 °C |
Temperatura máxima de funcionamento: | + 150 °C |
Pd - Disipación de potencia: | 2,1 W |
Modo de canle: | Mellora |
Nome comercial: | NexFET |
Embalaxe: | Carrete |
Embalaxe: | Cortar cinta |
Embalaxe: | Carrete de rato |
Marca: | Texas Instruments |
Configuración: | Dobre |
Tempo de outono: | 19 ns |
Altura: | 1,75 milímetros |
Lonxitude: | 4,9 milímetros |
Tipo de produto: | MOSFET |
Tempo de subida: | 15 ns |
Serie: | CSD88537ND |
Cantidade do paquete de fábrica: | 2500 |
Subcategoría: | MOSFETs |
Tipo de transistor: | 2 canles N |
Tempo de retardo de apagado típico: | 5 ns |
Tempo de retardo de activación típico: | 6 ns |
Largura: | 3,9 milímetros |
Peso unitario: | 74 mg |
♠ CSD88537ND MOSFET de potencia NexFET™ de canle N dupla de 60 V
Este MOSFET de potencia NexFET™ dual SO-8, 60 V e 12,5 mΩ está deseñado para servir como media ponte en aplicacións de control de motores de baixa corrente.
• Qg e Qgd ultrabaixos
• Clasificación para avalanchas
• Sen plomo
• Conforme coa normativa RoHS
• Libre de halóxenos
• Media ponte para control de motor
• Convertidor Buck síncrono