Transistores IGBT IKW50N65EH5XKSA1 INDUSTRIA 14
♠ Descrición do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | Infineon |
| Categoría do produto: | Transistores IGBT |
| Tecnoloxía: | Si |
| Paquete/Caixa: | TO-247-3 |
| Estilo de montaxe: | Buraco pasante |
| Configuración: | Solteiro/a |
| Tensión colector-emisor VCEO máx.: | 650 V |
| Tensión de saturación colector-emisor: | 1,65 V |
| Tensión máxima do emisor da porta: | 20 V |
| Corrente continua do colector a 25 °C: | 80 A |
| Pd - Disipación de potencia: | 275 O |
| Temperatura mínima de funcionamento: | - 40 °C |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 175 °C |
| Serie: | Parada de trincheira IGBT5 |
| Embalaxe: | Tubo |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Corrente de fuga porta-emisor: | 100 nA |
| Altura: | 20,7 milímetros |
| Lonxitude: | 15,87 milímetros |
| Tipo de produto: | Transistores IGBT |
| Cantidade do paquete de fábrica: | 240 |
| Subcategoría: | IGBT |
| Nome comercial: | PARADA DE TRINCIAS |
| Largura: | 5,31 milímetros |
| Alias de número de peza: | IKW50N65EH5 SP001257944 |
| Peso unitario: | 0,213383 onzas |
Oferta de tecnoloxía H5 de alta velocidade
• A mellor eficiencia da súa clase en topoloxías de conmutación dura e resonantes
• Substitución plug-and-play dos IGBT da xeración anterior
•Tensión de ruptura de 650 V
•QG de baixa carga de porta
• IGBT empaquetado con díodo antiparalelo RAPID1 rápido e suave de plena capacidade
•Temperatura máxima da unión 175 °C
• Cualificado segundo JEDEC para aplicacións obxectivo
• Revestimento de plomo libre de Pb; Conforme RoHS
• Espectro completo de produtos e modelos PSpice: http://www.infineon.com/igbt/
• Sistemas de alimentación ininterrompida
•Conversores solares
•Convertidores de soldadura
•Convertidores de frecuencia de conmutación de gama media-alta
