NTMFS5C628NLT1G MOSFET TRANCH 6 60V NFET
♠ Descrición do produto
Atributo do produto | Valor do atributo |
Fabricante: | onsemi |
Categoría do produto: | MOSFET |
Tecnoloxía: | Si |
Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
Paquete/Estuche: | SO-8FL-4 |
Polaridade do transistor: | Canle N |
Número de canles: | 1 canle |
Vds - Tensión de avaría drenaxe-fonte: | 60 V |
Id - Corrente de drenaxe continua: | 150 A |
Rds On - Resistencia de drenaxe-fonte: | 2,4 mOhmios |
Vgs - Tensión da fonte-porta: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensión límite da fonte-porta: | 1,2 V |
Qg - Carga de porta: | 52 nC |
Temperatura mínima de funcionamento: | - 55 C |
Temperatura máxima de funcionamento: | + 175 C |
Pd - Disipación de potencia: | 3,7 W |
Modo de canle: | Mellora |
Embalaxe: | Bobina |
Embalaxe: | Cinta cortada |
Embalaxe: | MouseReel |
Marca: | onsemi |
Configuración: | Solteiro |
Tempo de outono: | 70 ns |
Transcondutividade directa - mín.: | 110 S |
Tipo de produto: | MOSFET |
Tempo de subida: | 150 ns |
Cantidade do paquete de fábrica: | 1500 |
Subcategoría: | MOSFET |
Tipo de transistor: | 1 canle N |
Tempo de atraso típico de apagado: | 28 ns |
Tempo de atraso de aceso típico: | 15 ns |
Peso unitario: | 0,006173 oz |
• Pegada pequena (5×6 mm) para o deseño compacto
• Baixo RDS (activado) para minimizar as perdas de condución
• Baixo QG e capacitancia para minimizar as perdas de condutores
• Estes dispositivos están libres de Pb e son compatibles con RoHS