NTTFS4C10NTAG MOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
♠ Descrición do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoría do produto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnoloxía: | Si |
| Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
| Paquete/Estuche: | WDFN-8 |
| Polaridade do transistor: | Canle N |
| Número de canles: | 1 canle |
| Vds - Tensión de avaría drenaxe-fonte: | 30 V |
| Id - Corrente de drenaxe continua: | 44 A |
| Rds On - Resistencia de drenaxe-fonte: | 7,4 mOhms |
| Vgs - Tensión da fonte-porta: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión límite da fonte-porta: | 1,3 V |
| Qg - Carga de porta: | 18,6 nC |
| Temperatura mínima de funcionamento: | - 55 C |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 150 C |
| Pd - Disipación de potencia: | 3,9 W |
| Modo de canle: | Mellora |
| Embalaxe: | Bobina |
| Embalaxe: | Cinta cortada |
| Embalaxe: | MouseReel |
| Marca: | onsemi |
| Configuración: | Solteiro |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Serie: | NTTFS4C10N |
| Cantidade do paquete de fábrica: | 1500 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Peso unitario: | 29,570 mg |
♠ NTTFS4C10N MOSFET: potencia, único, canle N, 8FL 30 V, 44 A
• Baixo RDS (activado) para minimizar as perdas de condución
• Baixa capacitancia para minimizar as perdas de condutores
• Carga de porta optimizada para minimizar as perdas de conmutación
• Estes dispositivos están libres de Pb, sen halóxenos/sen BFR e cumpre con RoHS
• Conversores DC-DC
• Interruptor de carga de enerxía
• Xestión da batería do portátil
