MOSFET NVTFS5116PLTWG de canal P único, 60 V, 14 A, 52 mOhmios
♠ Descrición do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | ensemestral |
| Categoría do produto: | MOSFET |
| Tecnoloxía: | Si |
| Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
| Paquete/Caixa: | WDFN-8 |
| Polaridade do transistor: | Canle P |
| Número de canles: | 1 canle |
| Vds - Tensión de ruptura dreno-fonte: | 60 V |
| Id - Corrente de drenaxe continua: | 14 A |
| Rds Activado - Resistencia da Fonte-Dreno: | 52 mOhmios |
| Vgs - Tensión porta-fonte: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión limiar da fonte da porta: | 3 V |
| Qg - Carga da porta: | 25 nC |
| Temperatura mínima de funcionamento: | - 55 °C |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 175 °C |
| Pd - Disipación de potencia: | 21 Oeste |
| Modo de canle: | Mellora |
| Cualificación: | AEC-Q101 |
| Embalaxe: | Carrete |
| Embalaxe: | Cortar cinta |
| Embalaxe: | Carrete de rato |
| Marca: | ensemestral |
| Configuración: | Solteiro/a |
| Transcondutancia directa - Mín: | 11 S |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Serie: | NVTFS5116PL |
| Cantidade do paquete de fábrica: | 5000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 canle P |
| Peso unitario: | 0,001043 onzas |
• Pegada pequena (3,3 x 3,3 mm) para un deseño compacto
• RDS baixo (activado) para minimizar as perdas de condución
• Baixa capacitancia para minimizar as perdas do controlador
• NVTFS5116PLWF − Produto de flancos humectables
• Cualificación AEC−Q101 e compatibilidade con PPAP
• Estes dispositivos non conteñen chumbo e cumpren coa normativa RoHS
