NVTFS5116PLTWG MOSFET de canle P único 60V,14A,52mohm
♠ Descrición do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoría do produto: | MOSFET |
| Tecnoloxía: | Si |
| Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
| Paquete/Estuche: | WDFN-8 |
| Polaridade do transistor: | Canle P |
| Número de canles: | 1 canle |
| Vds - Tensión de avaría drenaxe-fonte: | 60 V |
| Id - Corrente de drenaxe continua: | 14 A |
| Rds On - Resistencia de drenaxe-fonte: | 52 mOhmios |
| Vgs - Tensión da fonte-porta: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión límite da fonte-porta: | 3 V |
| Qg - Carga de porta: | 25 nC |
| Temperatura mínima de funcionamento: | - 55 C |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 175 C |
| Pd - Disipación de potencia: | 21 W |
| Modo de canle: | Mellora |
| Cualificación: | AEC-Q101 |
| Embalaxe: | Bobina |
| Embalaxe: | Cinta cortada |
| Embalaxe: | MouseReel |
| Marca: | onsemi |
| Configuración: | Solteiro |
| Transcondutividade directa - mín.: | 11 S |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Serie: | NVTFS5116PL |
| Cantidade do paquete de fábrica: | 5000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canle P |
| Peso unitario: | 0,001043 oz |
• Pegada pequena (3,3 x 3,3 mm) para o deseño compacto
• Baixo RDS (activado) para minimizar as perdas de condución
• Baixa capacitancia para minimizar as perdas de condutores
• NVTFS5116PLWF − Produto de flancos mollables
• Cualificado AEC−Q101 e apto para PPAP
• Estes dispositivos están libres de Pb e son compatibles con RoHS
