SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Descrición do produto
Atributo do produto | Valor do atributo |
Fabricante: | Vishay |
Categoría do produto: | MOSFET |
RoHS: | Detalles |
Tecnoloxía: | Si |
Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
Paquete/Estuche: | PowerPAK-1212-8 |
Polaridade do transistor: | Canle P |
Número de canles: | 1 canle |
Vds - Tensión de avaría drenaxe-fonte: | 200 V |
Id - Corrente de drenaxe continua: | 3,8 A |
Rds On - Resistencia de drenaxe-fonte: | 1,05 ohmios |
Vgs - Tensión da fonte-porta: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensión límite da fonte-porta: | 2 V |
Qg - Carga de porta: | 25 nC |
Temperatura mínima de funcionamento: | - 50 C |
Temperatura máxima de funcionamento: | + 150 C |
Pd - Disipación de potencia: | 52 W |
Modo de canle: | Mellora |
Nome comercial: | TrenchFET |
Embalaxe: | Bobina |
Embalaxe: | Cinta cortada |
Embalaxe: | MouseReel |
Marca: | Vishay Semiconductors |
Configuración: | Solteiro |
Tempo de outono: | 12 ns |
Transcondutividade directa - mín.: | 4 S |
Altura: | 1,04 mm |
Lonxitude: | 3,3 mm |
Tipo de produto: | MOSFET |
Tempo de subida: | 11 ns |
Serie: | SI7 |
Cantidade do paquete de fábrica: | 3000 |
Subcategoría: | MOSFET |
Tipo de transistor: | 1 canle P |
Tempo de atraso típico de apagado: | 27 ns |
Tempo de atraso de aceso típico: | 9 ns |
Ancho: | 3,3 mm |
Parte # Aliases: | SI7119DN-GE3 |
Peso unitario: | 1 g |
• Libre de halóxenos Segundo IEC 61249-2-21 Dispoñible
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• Paquete PowerPAK® de baixa resistencia térmica con tamaño pequeno e perfil baixo de 1,07 mm
• 100 % probado por UIS e Rg
• Abrazadeira activa en fontes de alimentación DC/DC intermedias