SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Descrición curta:

Fabricantes: Vishay
Categoría de produto: MOSFET
Folla de datos:SI7119DN-T1-GE3
Descrición:MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Estado RoHS: RoHS Compliant


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características

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♠ Descrición do produto

Atributo do produto Valor do atributo
Fabricante: Vishay
Categoría do produto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnoloxía: Si
Estilo de montaxe: SMD/SMT
Paquete/Estuche: PowerPAK-1212-8
Polaridade do transistor: Canle P
Número de canles: 1 canle
Vds - Tensión de avaría drenaxe-fonte: 200 V
Id - Corrente de drenaxe continua: 3,8 A
Rds On - Resistencia de drenaxe-fonte: 1,05 ohmios
Vgs - Tensión da fonte-porta: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión límite da fonte-porta: 2 V
Qg - Carga de porta: 25 nC
Temperatura mínima de funcionamento: - 50 C
Temperatura máxima de funcionamento: + 150 C
Pd - Disipación de potencia: 52 W
Modo de canle: Mellora
Nome comercial: TrenchFET
Embalaxe: Bobina
Embalaxe: Cinta cortada
Embalaxe: MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Solteiro
Tempo de outono: 12 ns
Transcondutividade directa - mín.: 4 S
Altura: 1,04 mm
Lonxitude: 3,3 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 11 ns
Serie: SI7
Cantidade do paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canle P
Tempo de atraso típico de apagado: 27 ns
Tempo de atraso de aceso típico: 9 ns
Ancho: 3,3 mm
Parte # Aliases: SI7119DN-GE3
Peso unitario: 1 g

  • Anterior:
  • Seguinte:

  • • Libre de halóxenos Segundo IEC 61249-2-21 Dispoñible

    • MOSFET de potencia TrenchFET®

    • Paquete PowerPAK® de baixa resistencia térmica con tamaño pequeno e perfil baixo de 1,07 mm

    • 100 % probado por UIS e Rg

    • Abrazadeira activa en fontes de alimentación DC/DC intermedias

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