MOSFET SQJ951EP-T1_GE3 de dobre canle P de 30 V e cualificación AEC-Q101
♠ Descrición do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | Vishay |
| Categoría do produto: | MOSFET |
| Tecnoloxía: | Si |
| Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
| Paquete/Caixa: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Polaridade do transistor: | Canle P |
| Número de canles: | 2 canles |
| Vds - Tensión de ruptura dreno-fonte: | 30 V |
| Id - Corrente de drenaxe continua: | 30 A |
| Rds Activado - Resistencia da Fonte-Dreno: | 14 mOhmios |
| Vgs - Tensión porta-fonte: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión limiar da fonte da porta: | 2,5 V |
| Qg - Carga da porta: | 50 nC |
| Temperatura mínima de funcionamento: | - 55 °C |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 175 °C |
| Pd - Disipación de potencia: | 56 Oeste |
| Modo de canle: | Mellora |
| Cualificación: | AEC-Q101 |
| Nome comercial: | TrenchFET |
| Embalaxe: | Carrete |
| Embalaxe: | Cortar cinta |
| Embalaxe: | Carrete de rato |
| Marca: | Vishay Semicondutores |
| Configuración: | Dobre |
| Tempo de outono: | 28 ns |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Tempo de subida: | 12 ns |
| Serie: | SQ |
| Cantidade do paquete de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 2 canles P |
| Tempo de retardo de apagado típico: | 39 ns |
| Tempo de retardo de activación típico: | 12 ns |
| Alias de número de peza: | SQJ951EP-T1_BE3 |
| Peso unitario: | 0,017870 onzas |
• Libre de halóxenos Segundo a definición da norma IEC 61249-2-21
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• Cualificación AEC-Q101
• 100 % Rg e UIS testado
• Cumpre coa Directiva RoHS 2002/95/CE
