STD35P6LLF6 MOSFET P-canal 60V 0.025Ohm tipo 35A STripFET F6 MOSFET de potencia

Descrición curta:

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de produto: transistores – FET, MOSFET – único
Folla de datos:STD35P6LLF6
Descrición: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Estado RoHS: RoHS Compliant


Detalle do produto

características

aplicacións

Etiquetas de produtos

♠ Descrición do produto

Atributo do produto Valor do atributo
Fabricante: STMicroelectronics
Categoría do produto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnoloxía: Si
Estilo de montaxe: SMD/SMT
Paquete/Estuche: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canle P
Número de canles: 1 canle
Vds - Tensión de avaría drenaxe-fonte: 60 V
Id - Corrente de drenaxe continua: 35 A
Rds On - Resistencia de drenaxe-fonte: 28 mOhmios
Vgs - Tensión da fonte-porta: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión límite da fonte-porta: 1 V
Qg - Carga de porta: 30 nC
Temperatura mínima de funcionamento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamento: + 175 C
Pd - Disipación de potencia: 70 W
Modo de canle: Mellora
Nome comercial: STRIPFET
Serie: STD35P6LLF6
Embalaxe: Bobina
Embalaxe: Cinta cortada
Embalaxe: MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Solteiro
Tempo de outono: 21 ns
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 39 ns
Cantidade do paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 MOSFET de potencia de canle P
Tempo de atraso típico de apagado: 171 ns
Tempo de atraso de aceso típico: 51,4 ns
Peso unitario: 0,011640 oz

♠ STD35P6LLF6 P-channel 60 V, 0,025 Ω típico, 35 A STripFET™ F6 MOSFET de potencia nun paquete DPAK

Este dispositivo é un MOSFET de potencia de canle P desenvolvido mediante a tecnoloxía STripFET™ F6, cunha nova estrutura de porta de trincheira.O MOSFET de potencia resultante presenta un RDS(on) moi baixo en todos os paquetes.


  • Anterior:
  • Seguinte:

  •  Resistencia moi baixa

     Carga de porta moi baixa

     Alta robustez de avalancha

     Baixa perda de potencia da unidade de porta

     Cambio de aplicacións

    Produtos relacionados