MOSFET SUM55P06-19L-E3 60 V 55 A 125 W
♠ Descrición do produto
Atributo do produto | Valor do atributo |
Fabricante: | Vishay |
Categoría do produto: | MOSFET |
Directiva RoHS: | Detalles |
Tecnoloxía: | Si |
Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
Paquete/Caixa: | TO-263-3 |
Polaridade do transistor: | Canle P |
Número de canles: | 1 canle |
Vds - Tensión de ruptura dreno-fonte: | 60 V |
Id - Corrente de drenaxe continua: | 55 A |
Rds Activado - Resistencia da Fonte-Dreno: | 19 mOhmios |
Vgs - Tensión porta-fonte: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensión limiar da fonte da porta: | 1 V |
Qg - Carga da porta: | 76 nC |
Temperatura mínima de funcionamento: | - 55 °C |
Temperatura máxima de funcionamento: | + 175 °C |
Pd - Disipación de potencia: | 125 W |
Modo de canle: | Mellora |
Nome comercial: | TrenchFET |
Embalaxe: | Carrete |
Embalaxe: | Cortar cinta |
Embalaxe: | Carrete de rato |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Configuración: | Solteiro/a |
Tempo de outono: | 230 ns |
Transcondutancia directa - Mín: | 20 S |
Altura: | 4,83 milímetros |
Lonxitude: | 10,67 milímetros |
Tipo de produto: | MOSFET |
Tempo de subida: | 15 ns |
Serie: | SUMA |
Cantidade do paquete de fábrica: | 800 |
Subcategoría: | MOSFETs |
Tipo de transistor: | 1 canle P |
Tempo de retardo de apagado típico: | 80 ns |
Tempo de retardo de activación típico: | 12 ns |
Largura: | 9,65 milímetros |
Peso unitario: | 0,139332 onzas |
• MOSFET de potencia TrenchFET®