Circuitos integrados de interruptor de alimentación VNB35NV04TR-E: distribución de alimentación N-Chan 70V 35A OmniFET
♠ Descrición do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | STMicroelectrónica |
| Categoría do produto: | Circuitos integrados de interruptores de alimentación - Distribución de alimentación |
| Tipo: | Lado baixo |
| Número de saídas: | 1 Saída |
| Límite de corrente: | 30 A |
| Resistencia en Máx.: | 13 mOhmios |
| Puntual - Máx.: | 500 ns |
| Tempo de desactivación - Máx.: | 3 nós |
| Tensión de alimentación de funcionamento: | 24 V |
| Temperatura mínima de funcionamento: | - 40 °C |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 150 °C |
| Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
| Paquete/Caixa: | D2PAK-2 |
| Serie: | VNB35NV04-E |
| Cualificación: | AEC-Q100 |
| Embalaxe: | Carrete |
| Embalaxe: | Cortar cinta |
| Embalaxe: | Carrete de rato |
| Marca: | STMicroelectrónica |
| Sensible á humidade: | Si |
| Pd - Disipación de potencia: | 125 W |
| Produto: | Interruptores de carga |
| Tipo de produto: | Circuitos integrados de interruptores de alimentación - Distribución de alimentación |
| Cantidade do paquete de fábrica: | 1000 |
| Subcategoría: | Circuitos integrados de interruptores |
| Peso unitario: | 0,066315 onzas |
♠ OMNIFET II: MOSFET de potencia totalmente autoprotexido
Os VNB35NV04-E, VNP35NV04-E e VNV35NV04-E son dispositivos monolíticos deseñados coa tecnoloxía STMicroelectronics® VIPower® M0-3, destinados á substitución dos MOSFET de potencia estándar en aplicacións de CC ata 25 kHz.
A desconexión térmica integrada, a limitación de corrente lineal e a pinza de sobretensión protexen o chip en ambientes agresivos. A retroalimentación de fallos pódese detectar monitorizando a tensión no pin de entrada.
• Limitación de corrente lineal
• Apagado térmico
• Protección contra curtocircuítos
• Abrazadera integrada
• Baixa corrente consumida polo pin de entrada
• Retroalimentación de diagnóstico a través do pin de entrada
• Protección contra descargas electrostáticas
• Acceso directo á porta do MOSFET de potencia (control analóxico)
• Compatible co MOSFET de potencia estándar
