Controladores de porta VNS3NV04DPTR-E OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Descrición do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | STMicroelectrónica |
| Categoría do produto: | Condutores de porta |
| Directiva RoHS: | Detalles |
| Produto: | Controladores de porta MOSFET |
| Tipo: | Lado baixo |
| Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
| Paquete/Caixa: | SOIC-8 |
| Número de condutores: | 2 Condutor |
| Número de saídas: | 2 Saídas |
| Corrente de saída: | 5 A |
| Tensión de alimentación - Máx.: | 24 V |
| Tempo de subida: | 250 ns |
| Tempo de outono: | 250 ns |
| Temperatura mínima de funcionamento: | - 40 °C |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 150 °C |
| Serie: | VNS3NV04DP-E |
| Cualificación: | AEC-Q100 |
| Embalaxe: | Carrete |
| Embalaxe: | Cortar cinta |
| Embalaxe: | Carrete de rato |
| Marca: | STMicroelectrónica |
| Sensible á humidade: | Si |
| Corrente de subministración operativa: | 100 µA |
| Tipo de produto: | Condutores de porta |
| Cantidade do paquete de fábrica: | 2500 |
| Subcategoría: | PMIC - Circuitos integrados de xestión de enerxía |
| Tecnoloxía: | Si |
| Peso unitario: | 0,005291 onzas |
♠ MOSFET de potencia OMNIFET II totalmente autoprotexido
O dispositivo VNS3NV04DP-E está composto por dous chips monolíticos (OMNIFET II) aloxados nun encapsulado SO-8 estándar. O OMNIFET II está deseñado coa tecnoloxía STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 e está pensado para substituír os MOSFET de potencia estándar en aplicacións de CC de ata 50 kHz.
A desconexión térmica integrada, a limitación de corrente lineal e a pinza de sobretensión protexen o chip en ambientes agresivos.
A retroalimentación de fallos pódese detectar monitorizando a tensión no pin de entrada
■ ECOPACK®: sen chumbo e cumpre coa normativa RoHS
■ Grao automotriz: cumprimento das directrices da AEC
■ Limitación de corrente lineal
■ Apagado térmico
■ Protección contra curtocircuítos
■ Abrazadera integrada
■ Baixa corrente consumida polo pin de entrada
■ Retroalimentación de diagnóstico a través do pin de entrada
■ Protección contra descargas electrostáticas
■ Acceso directo á porta do MOSFET de potencia (control analóxico)
■ Compatible co MOSFET de potencia estándar
