FDD4N60NZ MOSFET 2.5A Optocoplador GateDrive de corrente de saída

Fabricante: ON Semiconductor

Categoría de produto: transistores – FET, MOSFET – único

Folla de datos:FDD4N60NZ

Descrición: MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

Estado RoHS: RoHS Compliant

Detalle do produto

Atributo do produto	Valor do atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría do produto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnoloxía:	Si
Estilo de montaxe:	SMD/SMT
Paquete/Estuche:	DPAK-3
Polaridade do transistor:	Canle N
Número de canles:	1 canle
Vds - Tensión de avaría drenaxe-fonte:	600 V
Id - Corrente de drenaxe continua:	1,7 A
Rds On - Resistencia de drenaxe-fonte:	1,9 ohmios
Vgs - Tensión da fonte-porta:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tensión límite da fonte-porta:	5 V
Qg - Carga de porta:	8,3 nC
Temperatura mínima de funcionamento:	- 55 C
Temperatura máxima de funcionamento:	+ 150 C
Pd - Disipación de potencia:	114 W
Modo de canle:	Mellora
Nome comercial:	UniFET
Embalaxe:	Bobina
Embalaxe:	Cinta cortada
Embalaxe:	MouseReel
Marca:	onsemi / Fairchild
Configuración:	Solteiro
Tempo de outono:	12,8 ns
Transcondutividade directa - mín.:	3.4 S
Altura:	2,39 mm
Lonxitude:	6,73 mm
Produto:	MOSFET
Tipo de produto:	MOSFET
Tempo de subida:	15,1 ns
Serie:	FDD4N60NZ
Cantidade do paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	MOSFET
Tipo de transistor:	1 canle N
Tempo de atraso típico de apagado:	30,2 ns
Tempo de atraso de aceso típico:	12,7 ns
Ancho:	6,22 mm
Peso unitario:	0,011640 oz