FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Descrición do produto
| Atributo do produto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoría de produto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnoloxía: | Si |
| Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polaridade do transistor: | Canle P |
| Número de canles: | 1 canle |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaxe e fonte: | 30 V |
| Id - Corrente de drenaxe continua: | 2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaxe e fonte: | 63 mOhmios |
| Vgs - Tensión entre porta e fonte: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre porta e fonte: | 3 V |
| Qg - Carga de porta: | 9 nC |
| Temperatura de traballo mínima: | - 55 C |
| Temperatura de traballo máxima: | + 150 C |
| Dp - Dissipación de potencia : | 500 mW |
| Canal Modo: | Mellora |
| Nome comercial: | PowerTrench |
| Empaquetado: | Bobina |
| Empaquetado: | Cinta cortada |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuración: | Solteiro |
| Tempo de caída: | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 5 S |
| Altura: | 1,12 mm |
| Lonxitude: | 2,9 mm |
| Produto: | Pequeno sinal MOSFET |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Tempo de subida: | 13 ns |
| Serie: | FDN360P |
| Cantidade de empaque de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canle P |
| Tipo: | MOSFET |
| Tempo de retardo de apagado típico: | 11 ns |
| Tempo típico de demora de encendido: | 6 ns |
| Ancho: | 1,4 mm |
| Alias das pezas n.º: | FDN360P_NL |
| Peso da unidade: | 0,001058 oz |
♠ Canle P único, MOSFET PowerTrenchÒ
Este MOSFET de nivel lóxico de canle P prodúcese mediante o proceso avanzado de Power Trench de ON Semiconductor que foi especialmente adaptado para minimizar a resistencia do estado conectado e manter unha baixa carga de porta para un rendemento de conmutación superior.
Estes dispositivos son moi axeitados para aplicacións de baixa tensión e baterías onde se requiren baixas perdas de enerxía en liña e conmutación rápida.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4,5 V
· Baixa carga de porta (6,2 nC típico) · Tecnoloxía de trincheira de alto rendemento para un RDS (ON) extremadamente baixo.
· Versión de alta potencia do paquete SOT-23 estándar da industria.Pin-out idéntico ao SOT-23 cunha capacidade de manexo de potencia un 30 % superior.
· Estes dispositivos están libres de Pb e cumpre con RoHS
