IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

Descrición curta:

Fabricante: IXYS
Categoría de produto: transistores – FET, MOSFET – único
Folla de datos:IXFA22N65X2
Descrición: MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
Estado RoHS: RoHS Compliant

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Detalle do produto

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♠ Descrición do produto

Atributo do produto	Valor do atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría do produto:	MOSFET
Tecnoloxía:	Si
Estilo de montaxe:	SMD/SMT
Paquete/Estuche:	TO-263-3
Polaridade do transistor:	Canle N
Número de canles:	1 canle
Vds - Tensión de avaría drenaxe-fonte:	650 V
Id - Corrente de drenaxe continua:	22 A
Rds On - Resistencia de drenaxe-fonte:	160 mOhms
Vgs - Tensión da fonte-porta:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensión límite da fonte-porta:	2,7 V
Qg - Carga de porta:	38 nC
Temperatura mínima de funcionamento:	- 55 C
Temperatura máxima de funcionamento:	+ 150 C
Pd - Disipación de potencia:	360 W
Modo de canle:	Mellora
Nome comercial:	HiPerFET
Embalaxe:	Tubo
Marca:	IXYS
Configuración:	Solteiro
Tempo de outono:	10 ns
Transcondutividade directa - mín.:	8 S
Tipo de produto:	MOSFET
Tempo de subida:	35 ns
Serie:	Ultra Junction X2 de 650 V
Cantidade do paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFET
Tempo de atraso típico de apagado:	33 ns
Tempo de atraso de aceso típico:	38 ns
Peso unitario:	0,139332 oz