TPS51200QDRCRQ1 IC especializado en xestión de enerxía novo e orixinal
♠ Descrición do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | Texas Instruments |
| Categoría do produto: | Especializado en xestión de enerxía - PMIC |
| RoHS: | Detalles |
| Serie: | TPS51200-Q1 |
| Tipo: | Automoción |
| Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
| Paquete/Estuche: | VSON-10 |
| Corrente de saída: | 600 mA |
| Temperatura mínima de funcionamento: | - 40 C |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 125 C |
| Cualificación: | AEC-Q100 |
| Embalaxe: | Bobina |
| Embalaxe: | Cinta cortada |
| Embalaxe: | MouseReel |
| Marca: | Texas Instruments |
| Sensible á humidade: | Si |
| Corrente de subministración de funcionamento: | 700 uA |
| Pd - Disipación de potencia: | 0,79 W |
| Tipo de produto: | Especializado en xestión de enerxía - PMIC |
| Cantidade do paquete de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | PMIC - CI de xestión de enerxía |
| Peso unitario: | 0,001386 oz |
♠ Regulador de terminación DDR sink e fonte TPS51200-Q1
O dispositivo TPS51200-Q1 é un regulador de terminación de dobre taxa de datos (DDR) sumidoiro e fonte deseñado especificamente para sistemas de baixa tensión de entrada, baixo custo e baixo ruído nos que o espazo é unha consideración fundamental.O dispositivo TPS51200-Q1 mantén unha resposta transitoria rápida e só require unha capacidade de saída mínima de 20 μF.O dispositivo TPS51200-Q1 admite unha función de detección remota e todos os requisitos de enerxía para a terminación do bus DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, Low Power DDR3 e DDR4 VTT.
Ademais, o dispositivo TPS51200-Q1 proporciona un sinal PGOOD de drenaxe aberto para supervisar a regulación de saída e un sinal EN que se pode usar para descargar VTT durante S3 (suspensión en RAM) para aplicacións DDR.
O dispositivo TPS51200-Q1 está dispoñible no paquete VSON-10 termoeficiente e está clasificado
verde e libre de Pb.O dispositivo está especificado entre -40 °C e 125 °C.
• Cualificado para Aplicacións de Automoción
• Guía de proba AEC-Q100 cos seguintes resultados:
– Grao de temperatura do dispositivo 1: –40 °C a 125 °C Temperatura ambiente de funcionamento
– Dispositivo HBM ESD Clasificación Nivel 2
– Dispositivo CDM ESD Clasificación Nivel C4B
• Tensión de entrada: admite carril de 2,5 V e carril de 3,3 V
• Rango de voltaxe VLDOIN: 1,1 V a 3,5 V
• O regulador de terminación de sumidoiros/fonte inclúe a compensación de caída
• Require unha capacidade de saída mínima de 20 μF (normalmente 3 × 10 μF MLCC) para aplicacións de terminación de memoria (DDR)
• PGOOD para controlar a regulación da saída
• Entrada EN
• A entrada REFIN permite un seguimento de entrada flexible directamente ou a través do divisor de resistencia
• Detección remota (VOSNS)
• Referencia tamponada de ±10 mA (REFOUT)
• Arranque suave, UVLO e OCL incorporados
• Apagado Térmico
• Cumpre as especificacións DDR, DDR2 JEDEC;Admite aplicacións DDR3, DDR3L, DDR3 de baixa potencia e DDR4 VTT
• Paquete VSON-10 con almofada térmica exposta
• Regulador de terminación de memoria para DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 e DDR4 de baixa potencia
• Caderno, Escritorio, Servidor
• Telecomunicacións e Datacom, estación base GSM, TV LCD e PDP-TV, copiadora e impresora, decodificador
