Módulos IGBT NVH820S75L4SPB 750 V, 820 A SSD
♠ Descrición do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoría do produto: | Módulos IGBT |
| Produto: | Módulos de silicio IGBT |
| Configuración: | Paquete de 6 |
| Tensión colector-emisor VCEO Max: | 750 V |
| Tensión de saturación colector-emisor: | 1,3 V |
| Corrente de colector continua a 25 C: | 600 A |
| Corrente de fuga do emisor de porta: | 500 uA |
| Pd - Disipación de potencia: | 1000 W |
| Paquete/Estuche: | 183AB |
| Temperatura mínima de funcionamento: | - 40 C |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 175 C |
| Embalaxe: | Bandexa |
| Marca: | onsemi |
| Tensión máxima do emisor de porta: | 20 V |
| Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
| Tipo de produto: | Módulos IGBT |
| Cantidade do paquete de fábrica: | 4 |
| Subcategoría: | IGBTs |
| Tecnoloxía: | Si |
| Nome comercial: | VE-Trac |
| Peso unitario: | 2.843 libras |
♠ Módulo de alimentación de 6 unidades de refrigeración directa de un solo lado de 750 V, 820 A para automoción Módulo directo VE-Trac NVH820S75L4SPB
O NVH820S75L4SPB é un módulo de potencia da familia VE−Trac Direct de módulos de potencia altamente integrados con pegadas estándar da industria para aplicacións de inversores de tracción híbridos (HEV) e vehículos eléctricos (EV).
O módulo integra seis IGBT Narrow Mesa Field Stop 4 (FS4) de 750 V nunha configuración de paquete de 6, que destaca por proporcionar unha alta densidade de corrente, ao tempo que ofrece unha protección robusta contra curtos circuítos e unha maior tensión de bloqueo.Ademais, os IGBT Narrow Mesa FS4 750 V mostran baixas perdas de enerxía durante cargas máis lixeiras, o que axuda a mellorar a eficiencia global do sistema en aplicacións de automoción.
Para facilitar a montaxe e fiabilidade, unha nova xeración de pinos axustado a presión está integrado nos terminais de sinal do módulo de potencia.Ademais, o módulo de potencia ten un disipador térmico de pin-fin optimizado na placa base.
• Refrixeración directa con disipador de calor Pin-fin integrado
• Inductancia parásita ultra-baixa
• Tvjmax = 175°C Funcionamento continuo
• Baixo VCESAT e perdas de conmutación
• Grao automotriz FS4 750 V Narrow Mesa IGBT
• Tecnoloxías de chip de diodos de recuperación rápida
• Substrato DBC illado a 4,2 kV
• Topoloxía do paquete de 6 fáciles de integrar
• Este dispositivo está libre de Pb e cumpre con RoHS
• Inversor de tracción de vehículos híbridos e eléctricos
• Convertedores de alta potencia
