SI9435BDY-T1-E3 MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm
♠ Descrición do produto
Atributo do produto | Valor do atributo |
Fabricante: | Vishay |
Categoría do produto: | MOSFET |
RoHS: | Detalles |
Tecnoloxía: | Si |
Estilo de montaxe: | SMD/SMT |
Paquete/Estuche: | SOIC-8 |
Polaridade do transistor: | Canle P |
Número de canles: | 1 canle |
Vds - Tensión de avaría drenaxe-fonte: | 30 V |
Id - Corrente de drenaxe continua: | 5,7 A |
Rds On - Resistencia de drenaxe-fonte: | 42 mOhms |
Vgs - Tensión da fonte-porta: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Tensión límite da fonte-porta: | 1 V |
Qg - Carga de porta: | 24 nC |
Temperatura mínima de funcionamento: | - 55 C |
Temperatura máxima de funcionamento: | + 150 C |
Pd - Disipación de potencia: | 2,5 W |
Modo de canle: | Mellora |
Nome comercial: | TrenchFET |
Embalaxe: | Bobina |
Embalaxe: | Cinta cortada |
Embalaxe: | MouseReel |
Marca: | Vishay Semiconductors |
Configuración: | Solteiro |
Tempo de outono: | 30 ns |
Transcondutividade directa - mín.: | 13 S |
Tipo de produto: | MOSFET |
Tempo de subida: | 42 ns |
Serie: | SI9 |
Cantidade do paquete de fábrica: | 2500 |
Subcategoría: | MOSFET |
Tipo de transistor: | 1 canle P |
Tempo de atraso típico de apagado: | 30 ns |
Tempo de atraso de aceso típico: | 14 ns |
Parte # Aliases: | SI9435BDY-E3 |
Peso unitario: | 750 mg |
• Sen halóxenos Segundo IEC 61249-2-21 Definición
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• Conforme á Directiva RoHS 2002/95/CE