SI9435BDY-T1-E3 MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm

Descrición curta:

Fabricantes: Vishay
Categoría de produto: MOSFET
Folla de datos: SI9435BDY-T1-E3
Descrición:MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
Estado RoHS: RoHS Compliant


Detalle do produto

características

Etiquetas de produtos

♠ Descrición do produto

Atributo do produto Valor do atributo
Fabricante: Vishay
Categoría do produto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnoloxía: Si
Estilo de montaxe: SMD/SMT
Paquete/Estuche: SOIC-8
Polaridade do transistor: Canle P
Número de canles: 1 canle
Vds - Tensión de avaría drenaxe-fonte: 30 V
Id - Corrente de drenaxe continua: 5,7 A
Rds On - Resistencia de drenaxe-fonte: 42 mOhms
Vgs - Tensión da fonte-porta: - 10 V, + 10 V
Vgs th - Tensión límite da fonte-porta: 1 V
Qg - Carga de porta: 24 nC
Temperatura mínima de funcionamento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamento: + 150 C
Pd - Disipación de potencia: 2,5 W
Modo de canle: Mellora
Nome comercial: TrenchFET
Embalaxe: Bobina
Embalaxe: Cinta cortada
Embalaxe: MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Solteiro
Tempo de outono: 30 ns
Transcondutividade directa - mín.: 13 S
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 42 ns
Serie: SI9
Cantidade do paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canle P
Tempo de atraso típico de apagado: 30 ns
Tempo de atraso de aceso típico: 14 ns
Parte # Aliases: SI9435BDY-E3
Peso unitario: 750 mg

  • Anterior:
  • Seguinte:

  • • Sen halóxenos Segundo IEC 61249-2-21 Definición

    • MOSFET de potencia TrenchFET®

    • Conforme á Directiva RoHS 2002/95/CE

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